电脑内存对电脑性能发挥有着极其重要作用，因此当电脑内存不足时会严重影响使用体验。英国研究人员日前发布消息称，该团队开发了一种新的电脑内存设计方法，可极大提高性能并减少互联网和通信技术的能源需求。据悉，研究人员来自剑桥大学，该团队开发的这种仿照人脑突触方式处理资料的设备，基于氧化铪和微型自组装势垒，势垒可升高或降低以允许电子通过。这种改变电脑存放装置电阻并允许信息处理和内存存在于同一位置的方法，可能会导緻密度更大、性能更高和能耗更低的电脑存放装置出现。

 内存被称内内存和主内存，它用于暂时存放CPU中的运算资料，以及与硬碟等外部内存交换的资料。它是外存与CPU进行“沟通”的桥樑，电脑中所有程式的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响电脑整体发挥的水平。只要电脑开始运行，作业系统就会把需要运算的资料从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，CPU将结果传送出来。研究人员指出，通常来说，电脑内存越高越好，将电脑内存增加一倍能够显着提升电脑性能，加快电脑运行速度。尤其是对于一些需要消耗大量内存的应用程式，例如Office、多媒体编辑软件等，增加内存可以减少这些程式打开和切换的时间，并提高运行多个程式时的效率。

 研究人员指出，电脑内存效率低下问题的一个潜在解决方案是一种称为电阻开关内存的新型技术。传统的存放装置具有两种状态：1或0。然而，功能正常的电阻开关内存件将能够具有连续的状态範围，基于此原理的电脑内存件将具有更高的密度和速度。例如，基于连续範围的典型USB内存能够容纳十倍到一百倍的信息。

 研究团队开发了一种基于氧化铪的原型设备，氧化铪是一种已用于半导体行业的绝缘材料。研究发现，通过在氧化铪薄膜中添加钡，複合材料中开始形成一些垂直于氧化铪平面的不寻常结构。这些垂直的富钡“桥”具有高度结构化，允许电子通过，而周围的氧化铪保持非结构化。在这些“桥”与器件触点相交的地方，形成了电子可穿过的能量势垒。研究人员能控制该势垒的高度，从而改变複合材料的电阻。与只有两种状态的传统内存不同，新设备允许材料中存在多种状态。与其他需要昂贵的高温製造方法的材料不同，这些氧化铪複合材料可在低温下自组装表现出高水平的性能和均匀性，使其在下一代内存应用中极具前景。

 研究人员称，这些材料真正令人兴奋的是它们可像大脑中的突触一样工作：它们可在同一个地方存储和处理信息，这使得它们在快速发展的人工智能和机器学习领域非常有前途。